IRFSL3607PBF
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- 制造商编号:
- IRFSL3607PBF
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- HEXFET®
- 描述:
- MOSFET N-CH 75V 80A TO262
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 75 V 80A(Tc) 140W(Tc) TO-262
- 规格说明书:
- IRFSL3607PBF说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 75 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 9 毫欧 @ 46A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 84 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3070 pF @ 50 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 140W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-262 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
标准包装 | 1,000 |
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 管件
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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