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APT25GP120BG

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制造商编号:
APT25GP120BG
制造商:
Microchip微芯
系列:
POWER MOS 7®
描述:
IGBT 1200V 69A 417W TO247
详细描述:
IGBT PT 1200 V 69 A 417 W 通孔 TO-247 [B]
规格说明书:
APT25GP120BG说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 POWER MOS 7®
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 PT
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 69 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 90 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 3.9V @ 15V,25A
功率 - 最大值 417 W
开关能量 500µJ(开),438µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 110 nC
25°C 时 Td(开/关)值 12ns/70ns
测试条件 600V,25A,5 欧姆,15V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247 [B]
标准包装 1

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型号 品牌 参考价格 说明
IXYH40N120C3 IXYS ¥86.70000 类似
IXYH40N120B3D1 IXYS ¥83.25000 类似
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