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FCMT099N65S3

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制造商编号:
FCMT099N65S3
制造商:
ON安森美
系列:
SuperFET® III
描述:
MOSFET N-CH 650V 30A POWER88
详细描述:
表面贴装型 N 通道 650 V 30A(Tc) 227W(Tc) Power88
规格说明书:
FCMT099N65S3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 SuperFET® III
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 99 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 56 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2270 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 227W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 Power88
封装/外壳 4-PowerTSFN
标准包装 3,000

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型号 品牌 参考价格 说明
IPL60R104C7AUMA1 Infineon Technologies ¥55.91000 类似

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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥45.43482 ¥45.43
10+ ¥40.801289 ¥408.01
100+ ¥33.430498 ¥3343.05
500+ ¥28.458543 ¥14229.27
1000+ ¥27.273989 ¥27273.99
3000+ ¥27.273989 ¥81821.97

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