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IRF6668TR1PBF
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- 制造商编号：
- IRF6668TR1PBF
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- HEXFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 80 V 55A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET™ MZ
- 规格说明书：
- IRF6668TR1PBF说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 55A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.9V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 31 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1320 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta），89W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MZ |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MZ |
| 标准包装 | 1,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | ¥17.82000 | 直接 |
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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