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DMNH6011LK3Q-13

Diodes photo

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制造商编号:
DMNH6011LK3Q-13
制造商:
Diodes美台
系列:
Automotive, AEC-Q101
描述:
MOSFET N-CH 55V 80A TO252 T&R
详细描述:
表面贴装型 N 通道 55 V 80A(Tc) 1.6W(Ta) TO-252,(D-Pak)
规格说明书:
DMNH6011LK3Q-13说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 12 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 49.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3077 pF @ 30 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.6W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252,(D-Pak)
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
2500+ ¥5.976028 ¥14940.07

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