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SIHP065N60E-GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SIHP065N60E-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
E
描述:
MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
详细描述:
通孔 N 通道 600 V 40A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
规格说明书:
SIHP065N60E-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 E
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 65 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 98 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2700 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 250W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1,000 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥66.613418 ¥66.61
10+ ¥60.140153 ¥601.40
100+ ¥49.793188 ¥4979.32
500+ ¥43.359112 ¥21679.56
1000+ ¥41.960469 ¥41960.47

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