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ALD1108EPCL

Advanced Linear Devices photo

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制造商编号:
ALD1108EPCL
制造商:
Advanced Linear Devices
系列:
EPAD®
描述:
MOSFET 4N-CH 10V 16DIP
详细描述:
MOSFET - 阵列 4 N 沟道,配对 10V - 600mW 通孔 16-PDIP
规格说明书:
ALD1108EPCL说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Advanced Linear Devices
系列 EPAD®
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 4 N 沟道,配对
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 500 欧姆 @ 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.01V @ 1µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 25pF @ 5V
功率 - 最大值 600mW
工作温度 0°C ~ 70°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 16-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装 16-PDIP
标准包装 50

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标准包装
50 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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