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    APTGT100DDA60T3G

    Microsemi photo

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    制造商编号：
    APTGT100DDA60T3G
    制造商：
    Microsemi美高森美
    系列：
    -
    描述：
    IGBT MODULE 600V 150A 340W SP3
    详细描述：
    IGBT 模块 沟槽型场截止 双路升压斩波器 600 V 150 A 340 W 底座安装 SP3
    规格说明书：
    APTGT100DDA60T3G说明书
    在线客服：
    咨询客服
    服务：
    为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。

    规格参数

    属性 属性值
    制造商 Microsemi(美高森美)
    系列 -
    包装 散装
    零件状态 停产
    IGBT 类型 沟槽型场截止
    配置 双路升压斩波器
    电压 - 集射极击穿（最大值） 600 V
    电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 150 A
    功率 - 最大值 340 W
    不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） 1.9V @ 15V，100A
    电流 - 集电极截止（最大值） 250 µA
    不同 Vce 时输入电容 (Cies) 6.1 nF @ 25 V
    输入 标准
    NTC 热敏电阻 是
    工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）
    安装类型 底座安装
    封装/外壳 SP3
    供应商器件封装 SP3
    标准包装 1

    价格库存

    库存
    0
    货期
    咨询客服
    标准包装
    1 / PCS
    包装
    散装
    总价：￥0.00
    阶梯 单价(含税价) 总价
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