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FDB38N30U
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- 制造商编号：
- FDB38N30U
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- UniFET™
- 描述：
- MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 300 V 38A（Tc） 313W（Tc） D²PAK（TO-263）
- 规格说明书：
- FDB38N30U说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | UniFET™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 300 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 38A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 120 毫欧 @ 19A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 73 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3340 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 313W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D²PAK（TO-263） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RCJ330N25TL | Rohm Semiconductor | ¥23.04000 | 类似 |
| IXTA36N30P | IXYS | ¥35.10000 | 类似 |
| RCJ220N25TL | Rohm Semiconductor | ¥21.12000 | 类似 |
价格库存
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- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥26.860489 | ￥26.86 |
| 10+ | ￥24.108531 | ￥241.09 |
| 100+ | ￥19.749507 | ￥1974.95 |
| 800+ | ￥16.81275 | ￥13450.20 |
| 1600+ | ￥16.112978 | ￥25780.76 |
