在线客服 
SIZ260DT-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIZ260DT-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET® Gen IV
- 描述：
- MOSFET DUAL N-CH 80V POWERPAIR 3
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 80V 8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc） 4.3W（Ta），33W（Tc） 表面贴装型 8-PowerPair®（3.3x3.3）
- 规格说明书：
- SIZ260DT-T1-GE3说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 80V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24.5 毫欧 @ 10A，10V，24.7 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 27nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 820pF @ 40V |
| 功率 - 最大值 | 4.3W（Ta），33W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PowerPair®（3.3x3.3） |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥9.815384 | ￥9.82 |
| 10+ | ￥8.791259 | ￥87.91 |
| 100+ | ￥6.855762 | ￥685.58 |
| 500+ | ￥5.66368 | ￥2831.84 |
| 1000+ | ￥4.471334 | ￥4471.33 |
| 3000+ | ￥4.471334 | ￥13414.00 |
