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IRF3710PBF

Infineon photo

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制造商编号:
IRF3710PBF
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
详细描述:
通孔 N 通道 100 V 57A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
规格说明书:
IRF3710PBF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 57A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 23 毫欧 @ 28A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 130 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3130 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 200W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 50

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
50 / PCS
包装
管件
单价:¥9.428239 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥18.712523 ¥18.71
10+ ¥16.690824 ¥166.91
100+ ¥13.010861 ¥1301.09
500+ ¥10.748224 ¥5374.11
1000+ ¥9.428239 ¥9428.24

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