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BSC018NE2LSIATMA1
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- 制造商编号：
- BSC018NE2LSIATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- OptiMOS™
- 描述：
- MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 25 V 29A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8-6
- 规格说明书：
- BSC018NE2LSIATMA1说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 29A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.8 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 36 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2500 pF @ 12 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），69W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-6 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 5,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| CSD16325Q5 | Texas Instruments | ¥16.66000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 5,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥13.475874 | ￥13.48 |
| 10+ | ￥12.054266 | ￥120.54 |
| 100+ | ￥9.396608 | ￥939.66 |
| 500+ | ￥7.762286 | ￥3881.14 |
| 1000+ | ￥6.809007 | ￥6809.01 |
| 5000+ | ￥6.809007 | ￥34045.04 |
