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IRF6702M2DTRPBF

Infineon photo

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制造商编号:
IRF6702M2DTRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 15A 2.7W 表面贴装型 DIRECTFET™ MA
规格说明书:
IRF6702M2DTRPBF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR)
零件状态 停产
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 15A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6.6 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1380pF @ 15V
功率 - 最大值 2.7W
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 DirectFET™ 等容 MA
供应商器件封装 DIRECTFET™ MA
标准包装 4,800

价格库存

库存
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货期
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标准包装
4,800 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
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