IPP045N10N3GHKSA1
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- 制造商编号:
- IPP045N10N3GHKSA1
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- OptiMOS™
- 描述:
- MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 100 V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO220-3
- 规格说明书:
- IPP045N10N3GHKSA1说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | OptiMOS™ |
包装 | 管件 |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.5 毫欧 @ 100A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 150µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 117 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 8410 pF @ 50 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 214W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 500 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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FDP045N10A-F102 | onsemi | ¥33.87000 | 类似 |
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