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APTMC120TAM12CTPAG

Microchip photo

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制造商编号:
APTMC120TAM12CTPAG
制造商:
Microchip微芯
系列:
-
描述:
MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P
详细描述:
MOSFET - 阵列 6 N-沟道(3 相桥) 1200V(1.2kV) 220A(Tc) 925W 底座安装 SP6-P
规格说明书:
APTMC120TAM12CTPAG说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 -
包装 散装
零件状态 在售
FET 类型 6 N-沟道(3 相桥)
FET 功能 碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss) 1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 220A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 12 毫欧 @ 150A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 30mA(标准)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 483nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 8400pF @ 1000V
功率 - 最大值 925W
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 SP6
供应商器件封装 SP6-P
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1 / PCS
包装
散装
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥23345.575247 ¥23345.58

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