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HGTD3N60C3S9A
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- 制造商编号：
- HGTD3N60C3S9A
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT 600V 6A 33W TO252AA
- 详细描述：
- IGBT - 600 V 6 A 33 W 表面贴装型 TO-252AA
- 规格说明书：
- HGTD3N60C3S9A说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 停产 |
| IGBT 类型 | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 6 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 24 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V，3A |
| 功率 - 最大值 | 33 W |
| 开关能量 | 85µJ（开），245µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 10.8 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | - |
| 测试条件 | 480V，3A，82 欧姆，15V |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | TO-252AA |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STGD3NB60SDT4 | STMicroelectronics | ¥8.68000 | 类似 |
| SGD02N60BUMA1 | Infineon Technologies | ¥6.35107 | 类似 |
| IKD03N60RFATMA1 | Infineon Technologies | ¥8.29000 | 类似 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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