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DMTH69M8LFVW-13

Diodes photo

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制造商编号:
DMTH69M8LFVW-13
制造商:
Diodes美台
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI
详细描述:
表面贴装,可润湿侧翼 N 通道 60 V 28ns/198ns LMR-1700 PowerDI3333-8(SWP)UX 类
规格说明书:
DMTH69M8LFVW-13说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 28ns/198ns
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9.5 毫欧 @ 13.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 33.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1925 pF @ 30 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) LMR-1700
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装,可润湿侧翼
供应商器件封装 PowerDI3333-8(SWP)UX 类
封装/外壳 8-PowerVDFN
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
3000+ ¥2.356128 ¥7068.38

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