DMN60H3D5SK3-13
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- 制造商编号:
- DMN60H3D5SK3-13
- 制造商:
- Diodes美台
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 600 V 2.8A(Tc) 41W(Tc) TO-252,(D-Pak)
- 规格说明书:
- DMN60H3D5SK3-13说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Diodes(美台) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 最后售卖 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.8A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.5 欧姆 @ 1.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12.6 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 354 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 41W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | TO-252,(D-Pak) |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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STD3NK60ZT4 | STMicroelectronics | ¥10.60000 | 类似 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥2.678925 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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2500+ | ¥2.678925 | ¥6697.31 |