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DMN60H3D5SK3-13

Diodes photo

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制造商编号:
DMN60H3D5SK3-13
制造商:
Diodes美台
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252
详细描述:
表面贴装型 N 通道 600 V 2.8A(Tc) 41W(Tc) TO-252,(D-Pak)
规格说明书:
DMN60H3D5SK3-13说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 最后售卖
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.5 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 12.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 354 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 41W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252,(D-Pak)
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装 2,500

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型号 品牌 参考价格 说明
STD3NK60ZT4 STMicroelectronics ¥10.60000 类似

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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥2.678925 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
2500+ ¥2.678925 ¥6697.31

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