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IXFK30N100Q2

IXYS photo

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制造商编号:
IXFK30N100Q2
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
HiPerFET™, Q2 Class
描述:
MOSFET N-CH 1000V 30A TO264AA
详细描述:
通孔 N 通道 1000 V 30A(Tc) 735W(Tc) TO-264AA(IXFK)
规格说明书:
IXFK30N100Q2说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 HiPerFET™, Q2 Class
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 400 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 186 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 8200 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 735W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-264AA(IXFK)
封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
标准包装 25

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标准包装
25 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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