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UPA2380T1P-E4-A

Renesas photo

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制造商编号:
UPA2380T1P-E4-A
制造商:
Renesas瑞萨
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH DUAL LGA
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 12V 4A(Ta) 1.15W(Ta) 表面贴装型 4-EFLIP-LGA(1.11x1.11)
规格说明书:
UPA2380T1P-E4-A说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Renesas(瑞萨)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 停产
FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能 逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源电压(Vdss) 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 32.5 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.3nC @ 4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 615pF @ 10V
功率 - 最大值 1.15W(Ta)
工作温度 150°C
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 4-XFLGA
供应商器件封装 4-EFLIP-LGA(1.11x1.11)
标准包装 5,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
5,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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