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ZTX855
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes(美台) |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 在售 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 4 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 150 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 260mV @ 400mA，4A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 50nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 1A，5V |
| 功率 - 最大值 | 1.2 W |
| 频率 - 跃迁 | 90MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 200°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | E-Line-3 |
| 供应商器件封装 | E-Line（TO-92 兼容） |
| 标准包装 | 4,000 |
价格库存
- 库存
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- 标准包装
- 4,000 / PCS
- 包装
- 散装
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥8.405944 | ￥8.41 |
| 10+ | ￥7.546084 | ￥75.46 |
| 100+ | ￥5.885682 | ￥588.57 |
| 500+ | ￥4.861961 | ￥2430.98 |
| 1000+ | ￥3.838393 | ￥3838.39 |
| 2000+ | ￥3.621127 | ￥7242.25 |
