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CSD85301Q2

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制造商编号:
CSD85301Q2
制造商:
TI德州仪器
系列:
NexFET™
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 20V 5A 2.3W 表面贴装型 6-WSON(2x2)
规格说明书:
CSD85301Q2说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 TI(德州仪器)
系列 NexFET™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平栅极,5V 驱动
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 27 毫欧 @ 5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 469pF @ 10V
功率 - 最大值 2.3W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 6-WSON(2x2)
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥5.455245 ¥5.46
10+ ¥4.687657 ¥46.88
100+ ¥3.502003 ¥350.20
500+ ¥2.751431 ¥1375.72
1000+ ¥2.126106 ¥2126.11
3000+ ¥1.989674 ¥5969.02

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