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SI5922DU-T1-GE3

Vishay photo

图像仅供参考

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制造商编号:
SI5922DU-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 6A(Tc) 10.4W 表面贴装型 PowerPAK® ChipFet 双
规格说明书:
SI5922DU-T1-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 19.2 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 765pF @ 15V
功率 - 最大值 10.4W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® CHIPFET™ 双
供应商器件封装 PowerPAK® ChipFet 双
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥1.851296 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥4.873959 ¥4.87
10+ ¥4.21125 ¥42.11
100+ ¥3.141466 ¥314.15
500+ ¥2.468287 ¥1234.14
1000+ ¥1.90731 ¥1907.31
6000+ ¥1.851296 ¥11107.78

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