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IRLL3303TR

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制造商编号:
IRLL3303TR
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
详细描述:
表面贴装型 N 通道 30 V 4.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
规格说明书:
IRLL3303TR说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 31 毫欧 @ 4.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 50 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 840 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-223
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
标准包装 2,500

价格库存

库存
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货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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