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IRFH5302TRPBF
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- 制造商编号：
- IRFH5302TRPBF
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- HEXFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 30 V 32A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），100W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
- 规格说明书：
- IRFH5302TRPBF说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 32A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.1 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 76 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4400 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.6W（Ta），100W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6）单芯片焊盘 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 4,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RJK0346DPA-01#J0B | Renesas Electronics America Inc | ¥9.10576 | 类似 |
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- 标准包装
- 4,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥10.981468 | ￥10.98 |
| 10+ | ￥9.789021 | ￥97.89 |
| 100+ | ￥7.634706 | ￥763.47 |
| 500+ | ￥6.306668 | ￥3153.33 |
| 1000+ | ￥5.532145 | ￥5532.14 |
| 4000+ | ￥5.532145 | ￥22128.58 |
