NTMSD2P102R2
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- 制造商编号:
- NTMSD2P102R2
- 制造商:
- ON安森美
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
- 详细描述:
- 表面贴装型 P 通道 20 V 2.3A(Ta) - 8-SOIC
- 规格说明书:
- NTMSD2P102R2说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ON(安森美) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.3A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 90 毫欧 @ 2.4A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | - |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 18 nC @ 4.5 V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 750 pF @ 16 V |
FET 功能 | 肖特基二极管(隔离式) |
功率耗散(最大值) | - |
工作温度 | - |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 2,500 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
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阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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