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NTZD3155CT2G

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制造商编号:
NTZD3155CT2G
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 540mA,430mA 250mW 表面贴装型 SOT-563
规格说明书:
NTZD3155CT2G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 540mA,430mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 550 毫欧 @ 540mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 150pF @ 16V
功率 - 最大值 250mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
供应商器件封装 SOT-563
标准包装 4,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
4,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0.907079 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥4.302015 ¥4.30
10+ ¥3.256352 ¥32.56
100+ ¥2.027169 ¥202.72
500+ ¥1.387213 ¥693.61
1000+ ¥1.067148 ¥1067.15
2000+ ¥0.960444 ¥1920.89
4000+ ¥0.960444 ¥3841.78
8000+ ¥0.907079 ¥7256.63

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