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SI1013R-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI1013R-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 20 V 350mA（Ta） 150mW（Ta） SC-75A
- 规格说明书：
- SI1013R-T1-GE3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 350mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 450mV @ 250µA（最小） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±6V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SC-75A |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3.660489 | ￥3.66 |
| 10+ | ￥3.114965 | ￥31.15 |
| 100+ | ￥2.326895 | ￥232.69 |
| 500+ | ￥1.828014 | ￥914.01 |
| 1000+ | ￥1.412553 | ￥1412.55 |
| 3000+ | ￥1.287924 | ￥3863.77 |
| 6000+ | ￥1.246371 | ￥7478.23 |
