您好,欢迎来到壹方微芯!

BSC060P03NS3EGATMA1

Infineon photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
BSC060P03NS3EGATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
OptiMOS™
描述:
MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
详细描述:
表面贴装型 P 通道 30 V 17.7A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8-1
规格说明书:
BSC060P03NS3EGATMA1说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 OptiMOS™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 17.7A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.1V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 81 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 6020 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),83W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TDSON-8-1
封装/外壳 8-PowerTDFN
标准包装 5,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
5,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥11.133566 ¥11.13
10+ ¥9.944161 ¥99.44
100+ ¥7.752329 ¥775.23
500+ ¥6.404336 ¥3202.17
1000+ ¥5.617807 ¥5617.81
5000+ ¥5.617807 ¥28089.03

相关产品