在线客服 
SI2301CDS-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI2301CDS-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 20 V 3.1A（Tc） 860mW（Ta），1.6W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
- 规格说明书：
- SI2301CDS-T1-GE3说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 112 毫欧 @ 2.8A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 405 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 860mW（Ta），1.6W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| SI2301-TP | Micro Commercial Co | ¥3.69000 | 类似 |
| PMV65XP,215 | Nexperia USA Inc. | ¥3.61000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3.194056 | ￥3.19 |
| 10+ | ￥2.562343 | ￥25.62 |
| 100+ | ￥1.743549 | ￥174.35 |
| 500+ | ￥1.307494 | ￥653.75 |
| 1000+ | ￥0.980666 | ￥980.67 |
| 3000+ | ￥0.898919 | ￥2696.76 |
| 6000+ | ￥0.844448 | ￥5066.69 |
