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IRLZ24NSTRLPBF

Infineon photo

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制造商编号:
IRLZ24NSTRLPBF
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 55 V 18A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
规格说明书:
IRLZ24NSTRLPBF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 60 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 480 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),45W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 800

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
PHB21N06LT,118 Nexperia USA Inc. ¥8.52000 类似
BUK9675-55A,118 Nexperia USA Inc. ¥9.98000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
800 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥10.748252 ¥10.75
10+ ¥9.609545 ¥96.10
100+ ¥7.490416 ¥749.04
800+ ¥6.187403 ¥4949.92
1600+ ¥5.427583 ¥8684.13

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