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STB36NM60ND

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制造商编号:
STB36NM60ND
制造商:
ST意法半导体
系列:
Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II
描述:
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 600 V 29A(Tc) 190W(Tc) D²PAK(TO-263)
规格说明书:
STB36NM60ND说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 29A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 110 毫欧 @ 14.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 80.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2785 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 190W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D²PAK(TO-263)
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 1,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies ¥82.56000 类似
IPB60R099CPAATMA1 Infineon Technologies ¥81.10000 类似

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标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥55.444754 ¥55.44
10+ ¥49.759335 ¥497.59
100+ ¥40.770653 ¥4077.07
500+ ¥34.707544 ¥17353.77
1000+ ¥33.26304 ¥33263.04

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