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2SJ649-AZ

Renesas photo

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制造商编号:
2SJ649-AZ
制造商:
Renesas瑞萨
系列:
-
描述:
MOSFET P-CH 60V 20A TO220
详细描述:
通孔 P 通道 60 V 20A(Tc) 2W(Ta),25W(Tc) TO-220 隔离的标片
规格说明书:
2SJ649-AZ说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Renesas(瑞萨)
系列 -
包装 散装
零件状态 最后售卖
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 48 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 38 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1900 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2W(Ta),25W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220 隔离的标片
封装/外壳 TO-220-3 隔离片
标准包装 25

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
25 / PCS
包装
散装
单价:¥10.311657 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥17.382131 ¥17.38
10+ ¥15.61159 ¥156.12
100+ ¥12.55057 ¥1255.06
500+ ¥10.311657 ¥5155.83

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