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CSD19535KCS
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- 制造商编号：
- CSD19535KCS
- 制造商：
- TI德州仪器
- 系列：
- NexFET™
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 100 V 150A（Ta） 300W（Tc） TO-220-3
- 规格说明书：
- CSD19535KCS说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | TI(德州仪器) |
| 系列 | NexFET™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 150A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.6 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 101 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7930 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FDP036N10A | onsemi | ¥44.77000 | 类似 |
| IPP120N10S403AKSA1 | Rochester Electronics, LLC | ¥12.68783 | 类似 |
| IPP030N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | ¥60.29000 | 类似 |
价格库存
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- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥28.107692 | ￥28.11 |
| 10+ | ￥25.261433 | ￥252.61 |
| 100+ | ￥20.695657 | ￥2069.57 |
| 500+ | ￥17.617601 | ￥8808.80 |
| 1000+ | ￥16.884286 | ￥16884.29 |
