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SP8M9FU6TB

Rohm Semiconductor photo

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制造商编号:
SP8M9FU6TB
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 9A,5A 2W 表面贴装型 8-SOP
规格说明书:
SP8M9FU6TB说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 停产
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A,5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 18 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 21nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1190pF @ 10V
功率 - 最大值 2W
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOP
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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