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IXTN120P20T

IXYS photo

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制造商编号:
IXTN120P20T
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
TrenchP™
描述:
MOSFET P-CH 200V 106A SOT227B
详细描述:
底座安装 P 通道 200 V 106A(Tc) 830W(Tc) SOT-227B
规格说明书:
IXTN120P20T说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 TrenchP™
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 106A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 30 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 740 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 73000 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 830W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
供应商器件封装 SOT-227B
封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
标准包装 10

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
10 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥449.550693 ¥449.55
10+ ¥419.402861 ¥4194.03
100+ ¥364.152488 ¥36415.25

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