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IPB180P04P4L02ATMA2

Infineon photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
IPB180P04P4L02ATMA2
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
OptiMOS®-P2
描述:
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
详细描述:
表面贴装型 P 通道 40 V 180A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-7-3
规格说明书:
IPB180P04P4L02ATMA2说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 OptiMOS®-P2
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 180A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.4 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 410µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 286 nC @ 10 V
Vgs(最大值) +5V,-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 18700 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 150W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO263-7-3
封装/外壳 TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥22.847767 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥36.281157 ¥36.28
10+ ¥32.626931 ¥326.27
100+ ¥26.732176 ¥2673.22
500+ ¥22.847754 ¥11423.88
1000+ ¥22.847767 ¥22847.77

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