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IRF630STRR
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- 制造商编号：
- IRF630STRR
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 200 V 9A（Tc） 3W（Ta），74W（Tc） D²PAK（TO-263）
- 规格说明书：
- IRF630STRR说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 400 毫欧 @ 5.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 43 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 800 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Ta），74W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D²PAK（TO-263） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RCJ120N20TL | Rohm Semiconductor | ¥9.06000 | 类似 |
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- 包装
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