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FS50R12W2T4BOMA1

Infineon photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
FS50R12W2T4BOMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
-
描述:
IGBT MOD 1200V 83A 335W
详细描述:
IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥反相器 1200 V 83 A 335 W 底座安装 模块
规格说明书:
FS50R12W2T4BOMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 -
包装 托盘
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
配置 全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 83 A
功率 - 最大值 335 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.15V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值) 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 2.8 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -40°C ~ 125°C
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 模块
标准包装 15

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
15 / PCS
包装
托盘
单价:¥534.909588 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥550.570913 ¥550.57
15+ ¥534.909588 ¥8023.64

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