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IXTT68P20T

IXYS photo

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制造商编号:
IXTT68P20T
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
TrenchP™
描述:
MOSFET P-CH 200V 68A TO268
详细描述:
表面贴装型 P 通道 200 V 68A(Tc) 568W(Tc) TO-268AA
规格说明书:
IXTT68P20T说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 TrenchP™
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 68A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 55 毫欧 @ 34A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 380 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 33400 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 568W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-268AA
封装/外壳 TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
标准包装 30

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
30 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥177.259629 ¥177.26
10+ ¥162.91563 ¥1629.16
100+ ¥137.593754 ¥13759.38
500+ ¥122.399512 ¥61199.76

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