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1N4006-G

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制造商编号:
1N4006-G
制造商:
Comchip台湾典琦
系列:
-
描述:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
详细描述:
二极管 标准 800 V 1A 通孔 DO-41
规格说明书:
1N4006-G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Comchip(台湾典琦)
系列 -
包装 带盒(TB)
零件状态 在售
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 800 V
电流 - 平均整流 (Io) 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.1 V @ 1 A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 5 µA @ 800 V
不同 Vr、F 时电容 15pF @ 4V,1MHz
安装类型 通孔
封装/外壳 DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装 DO-41
工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C
标准包装 5,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
1N5062GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥5.22000 类似
1N4006G-T Diodes Incorporated ¥3.00000 类似
SF4007-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥6.30000 类似
RGP10M-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.23000 类似
1N6623 WEC ¥77.75950 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
5,000 / PCS
包装
带盒(TB)
单价:¥0.303081 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
5000+ ¥0.303081 ¥1515.40

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