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IPI65R190CFDXKSA1

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制造商编号:
IPI65R190CFDXKSA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
CoolMOS™
描述:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
详细描述:
通孔 N 通道 650 V 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO262-3
规格说明书:
IPI65R190CFDXKSA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 CoolMOS™
包装 管件
零件状态 不适用于新设计
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 17.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 190 毫欧 @ 7.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 730µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 68 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1850 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 151W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO262-3
封装/外壳 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
标准包装 500

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型号 品牌 参考价格 说明
STI24NM60N STMicroelectronics ¥42.01000 类似

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管件
单价:¥26.461994 总价:¥0.00
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