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NVMFS6B85NLWFT1G

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制造商编号:
NVMFS6B85NLWFT1G
制造商:
ON安森美
系列:
Automotive, AEC-Q101
描述:
MOSFET N-CH 100V 5.6A/19A 5DFN
详细描述:
表面贴装型 N 通道 100 V 5.6A(Ta),19A(Tc) 3.5W(Ta),42W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
规格说明书:
NVMFS6B85NLWFT1G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.6A(Ta),19A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 46 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.9 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 480 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.5W(Ta),42W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳 8-PowerTDFN,5 引线
标准包装 1,500

价格库存

库存
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标准包装
1,500 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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