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UF3SC065030D8S

UnitedSiC photo

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制造商编号:
UF3SC065030D8S
制造商:
UnitedSiC
系列:
-
描述:
SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
详细描述:
表面贴装型 N 通道 650 V 18A(Tc) 179W(Tc) 4-DFN(8x8)
规格说明书:
UF3SC065030D8S说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 UnitedSiC
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 42毫欧 @ 20A,12V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 43 nC @ 12 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1500 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 179W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 4-DFN(8x8)
封装/外壳 4-PowerTSFN
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥140.325523 ¥140.33
2500+ ¥91.112199 ¥227780.50

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