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SIRA26DP-T1-RE3

Vishay photo

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制造商编号:
SIRA26DP-T1-RE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET® Gen IV
描述:
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
详细描述:
表面贴装型 N 通道 25 V 60A(Tc) 43.1W(Tc) PowerPAK® SO-8
规格说明书:
SIRA26DP-T1-RE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET® Gen IV
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.65 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 44 nC @ 10 V
Vgs(最大值) +16V,-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2247 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 43.1W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥2.91469 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥7.261205 ¥7.26
10+ ¥6.416965 ¥64.17
100+ ¥4.916607 ¥491.66
500+ ¥3.886262 ¥1943.13
1000+ ¥3.109002 ¥3109.00
3000+ ¥2.91469 ¥8744.07

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