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APTGF165A60D1G

Microsemi photo

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制造商编号:
APTGF165A60D1G
制造商:
Microsemi美高森美
系列:
-
描述:
IGBT MODULE 600V 230A 781W D1
详细描述:
IGBT 模块 NPT 半桥 600 V 230 A 781 W 底座安装 D1
规格说明书:
APTGF165A60D1G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microsemi(美高森美)
系列 -
包装 散装
零件状态 停产
IGBT 类型 NPT
配置 半桥
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 230 A
功率 - 最大值 781 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.45V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值) 250 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 9 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -
安装类型 底座安装
封装/外壳 D1
供应商器件封装 D1
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1 / PCS
包装
散装
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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