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HTNFET-T

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制造商编号:
HTNFET-T
制造商:
Honeywell霍尼韦尔
系列:
HTMOS™
描述:
MOSFET N-CH 55V 4POWER TAB
详细描述:
通孔 N 通道 55 V - 50W(Tj) 4-电源接片
规格说明书:
HTNFET-T说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Honeywell(霍尼韦尔)
系列 HTMOS™
包装 散装
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) -
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 400 毫欧 @ 100mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.3 nC @ 5 V
Vgs(最大值) 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 290 pF @ 28 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 50W(Tj)
工作温度 -55°C ~ 225°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 4-电源接片
封装/外壳 4-SIP
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1 / PCS
包装
散装
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥4070.485654 ¥4070.49

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