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IRF6726MTRPBF

Infineon photo

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制造商编号:
IRF6726MTRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
详细描述:
表面贴装型 N 通道 30 V 32A(Ta),180A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET™ MT
规格说明书:
IRF6726MTRPBF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 32A(Ta),180A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.7 毫欧 @ 32A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 77 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 6140 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc)
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DIRECTFET™ MT
封装/外壳 DirectFET™ 等容 MT
标准包装 4,800

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
4,800 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥17.330507 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥30.64875 ¥30.65
10+ ¥27.556521 ¥275.57
100+ ¥22.148664 ¥2214.87
500+ ¥18.197127 ¥9098.56
1000+ ¥17.330507 ¥17330.51
4800+ ¥17.330507 ¥83186.43

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