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FCPF190N65FL1

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制造商编号:
FCPF190N65FL1
制造商:
ON安森美
系列:
SuperFET® II
描述:
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F
详细描述:
通孔 N 通道 650 V 20.6A(Tc) 39W(Tc) TO-220F-3
规格说明书:
FCPF190N65FL1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 SuperFET® II
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 190 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 78 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3055 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 39W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220F-3
封装/外壳 TO-220-3 整包
标准包装 1,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
R6024KNX Rohm Semiconductor ¥19.97000 类似
AOTF190A60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥32.56000 类似
IXTP24N65X2M IXYS ¥36.79000 类似
IPA60R180C7XKSA1 Infineon Technologies ¥29.64000 类似
R6020ENX Rohm Semiconductor ¥24.42000 类似

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库存
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标准包装
1,000 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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