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IPAW60R280CEXKSA1
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- 制造商编号：
- IPAW60R280CEXKSA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- CoolMOS™
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 19.3A TO220
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 600 V 19.3A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220 全封装，宽爬电距离
- 规格说明书：
- IPAW60R280CEXKSA1说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 不适用于新设计 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19.3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 280 毫欧 @ 6.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 430µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 43 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 950 pF @ 100 V |
| FET 功能 | 超级结 |
| 功率耗散（最大值） | 32W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220 全封装，宽爬电距离 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，变体 |
| 标准包装 | 450 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IPAW60R280P7SXKSA1 | Infineon Technologies | ¥13.82000 | 类似 |
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- 450 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥10.77579 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 450+ | ￥10.77579 | ￥4849.11 |
